（文/赖家琪 编辑/吕栋）
中国存储芯片龙头长鑫科技，眼下正盘算着进一步扩产。
8月3日（当地时间），英国路透社引用两位消息人士的话报道，长鑫有意在北京筹建第二座存储芯片工厂，目前已与当地政府支持的科技制造产业平台展开融资磋商。
知情人士透露，新厂计划落户北京经济技术开发区（即北京亦庄），距长鑫在亦庄已投产的一家动态随机存取存储器（DRAM）晶圆厂大约20公里。长鑫方面向开发区管理机构争取至少6000万元人民币的资金支持，另有其他国有科技企业也流露出参与融资的兴趣。
不过，知情人强调，相关谈判尚处早期，融资金额及具体方案仍存变数。至于这笔钱是经由开发区管理机构直接拨付，还是通过其旗下投资平台注入，目前尚无定论。
观察者网就此联系长鑫科技，对方暂未回应。
8月4日，长鑫科技股价高开低走，截至午间收盘下跌0.53%，市值为3.66万亿元。
据路透社分析，北京新厂计划系长鑫大规模扩张战略的一环。受全球人工智能（AI）基础设施投资热潮推动，芯片短缺加剧，长鑫亟需提升产能。该公司上月末刚完成首次公开发行（IPO），募资总额高达579.19亿元，刷新科创板IPO最高募资纪录。
此前有报道称，长鑫除在上海和合肥建设新厂外，还在与其他地方政府探讨新增生产基地的可能性。若这些项目全部投产，公司整体产能有望翻倍，月产量将突破60万片晶圆。
长鑫存储（长鑫科技集团股份有限公司）位于北京亦庄的总部视觉中国
据消息人士说法，长鑫目前在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂，在北京拥有一座12英寸晶圆厂，单厂月产能约10万片晶圆。规划中的北京新厂同样采用12英寸生产线，主攻DRAM产品。
DRAM作为电脑、智能手机等电子设备的核心存储芯片，亦是AI时代数据中心建设的关键基础元件。
近两年，伴随AI大模型快速迭代，全球科技巨头纷纷加码数据中心建设，对高性能存储芯片需求激增。三星电子、SK海力士和美光科技等全球存储巨头，正将现有产能转向利润率更高的高带宽存储器（HBM）和服务器DRAM。这一转变致使传统DRAM供应趋紧，整个存储市场重新步入涨价周期，为长鑫提供了增长窗口。
全球行业分析机构Counterpoint Research数据显示，全球DRAM市场长期由三星电子、SK海力士和美光科技主导，今年第一季度，这三家公司合计占据全球近90%的市场份额。
长鑫紧随其后，已跻身中国第一、全球第四的DRAM厂商行列。根据市场研究机构Omdia的数据，长鑫2025年第四季度全球市场份额达7.67%。野村证券近期指出，长鑫在全球DRAM市场中的份额约10%，预计到2028年底将升至18%。
8月1日，一位接近长鑫科技的知情人士向观察者网透露，长鑫的LPDDR6芯片研发验证已接近尾声，距离首发量产更近一步。这意味着，在全球LPDDR6的首发量产竞赛中，中国企业几乎和韩国巨头并驾齐驱。
许多看好长鑫的分析人士认为，在中国推动科技自主化的背景下，该公司有望在DRAM市场抢占份额。
中国市场存在明显供需缺口，长鑫以及其他本土企业有机会填补这一空间。基于未来市场份额增长前景，野村国际控股分析师唐尼·滕（Donnie Teng）给予长鑫116元人民币的目标价，是目前市场分析师中的最高水平。长鑫上市首周股价上涨523%，8月3日收于54.99元人民币/股。
新加坡老虎基金管理公司首席执行官杰里米·陈（Jeremy Tan）指出，IPO融资带来的资金支持，使长鑫“拥有更强的实力扩大供应”。
“正如我们在许多技术领域看到的那样，中国可以迅速赶上。”他说。
